约束峰形：同一元素的不同价态峰（如 Cu⁺与 Cu⁰）需约束半峰宽一致，避免人为误差。本文中 S 2p 谱图（图 3c）通过分峰拟合，区分了 S²⁻（161.8 eV）与表面吸附 S（164.0 eV），计算得 SNWs 中 S²⁻的比例更高，证明其表面更纯净。
DOI: 10.1038/s41467-025-63637-2
5.结果验证：结合其他表征交叉印证
XPS 的结果需与其他表征（如 XRD、TEM、电化学测试）结合，避免 “单一数据误判”：
若 XPS 显示 Cu 为 Cu⁺，XRD 需匹配含 Cu⁺的物相；
若 XPS 显示 PTA 与 Cu₉S₅存在电子转移，TEM 需观测到 PTA 与 Cu₉S₅的共组装结构（如本文中 SNWs 的 0.95 nm 尺寸），DEMS 需观测到 NO₃⁻吸附增强（m/z=62 信号变化），形成完整证据链。
DOI：10.1002/anie.202403023
XPS的常见误区
误区 1：结合能偏移仅由价态变化导致
真相：结合能偏移可能由 “价态变化”“晶场效应”“电荷积累” 三种因素导致，需区分：
价态变化：如 Cu⁰→Cu⁺，结合能从 932.6 eV→932.1 eV（负移，因正电荷减少）；
晶场效应：同一价态的原子在不同晶体结构中，配位环境不同导致结合能偏移（如本文中 SNWs 的非完整晶体结构可能导致 Cu 2p 轻微偏移）；
电荷积累：绝缘样品未消除电荷，导致结合能整体偏移（如所有峰均正移或负移）。本文中 Cu 2p 偏移仅 0.1-0.3 eV，且无整体偏移，证明主要由价态 / 电子环境变化导致，非电荷积累。
误区 2：XPS 峰面积比 = 体相元素比
真相：XPS 峰面积比反映 “表面元素比”（1-10 nm 深度），而非体相比，需与 ICP-MS（体相分析）结合：
若材料表面存在元素富集（如本文中 SNWs 表面 PTA 富集），XPS 的 W/P 比会高于体相；若表面存在元素流失（如 NWs 表面 S 流失），XPS 的 S/Cu 比会低于体相；
本文中 XPS 的 Cu/S 比接近 9:5（体相 Cu₉S₅的比例），证明表面无明显 S 流失，排除 S 流失导致的活性下降。
误区 3：忽略表面污染的影响
真相：表面碳污染（C 1s）、氧吸附（O 1s）会干扰峰形与定量分析，需严格校准与扣除：
碳污染：C 1s 峰需校准为 284.8 eV，且分峰拟合时需扣除 C-O、C=O 峰（286.0 eV、288.5 eV），避免干扰其他峰（如 P 2p 与 C 1s 的重叠）；
氧吸附：O 1s 峰需区分吸附氧（532.0 eV）与晶格氧（如 PTA 中的 O，530.5 eV），本文中 SNWs 的 O 1s 峰可分为 PTA 的晶格氧与表面吸附氧，证明 PTA 的存在。
总结展望
本文以 XPS 为核心，从原理、方法到应用，系统解析了这一表征技术的价值。在《Sub-Nanometer-Scale Cu₉S₅》的研究中，XPS 不仅是 “确认表面元素与价态” 的基础工具，更是揭示 “电子转移机制” 与 “活性位点本质” 的核心手段。
对于电催化研究者而言，掌握 XPS 的关键在于 “从结合能偏移中读懂电子转移，从峰形变化中识别价态演变”，并将 XPS 与原位表征（如原位 XPS、原位 Raman）结合，动态观测催化过程中的表面电子态变化。未来，随着原位 XPS 技术的发展（如液体原位 XPS），将能更真实地模拟电解液环境下的表面反应，为电催化材料的精准设计提供更直接的指导。